註釋：數據來源極客灣
一，製程工藝
【1】規格：採用臺積電N3P 製程打造，擁有240 億晶體管，芯片面積 138.3 m㎡；
——核心規模極其龐大，在無集成基帶的情況下，核心面積，大於驍龍8EG5，逼近9500；
【2】封裝設計：遺憾的是，該產品未採用現下流行的散熱優化設計，仍使用，傳統POP封裝；
【3】先進設計：在製程工藝無法更新的情況下，引入頂層金屬走線優化，顯著縮小了模塊間的溝道，大幅提升soc集成度 ；
——在臺積電提供的標準Cell以外，額外定製了2400以上的定製Cell!
二、CPU
【1】架構：2×4.35GHz●C1‑Ultra超大核+4×3.68GHz●C1‑Premium超大核+4×3.15GHz●C1‑Pro大核，新增 雙 SME2 加速單元；
——配備12MB L2緩存，16MB L3緩存，，補齊16MB SLC系統級共享緩存，取消湊數小核。
【2】核心IP(測試平臺：SPES cpu 2026)
◆ C1‑Ultra超大核：玄戒 O3 相較於 天璣 9500 ，核心面積更爲精簡，極限頻率更高；
——憑藉LPDDR6內存，以及優秀的後端設計，超大核能效領先 天璣 9500、驍龍 8 Elite Gen5，僅稍弱於A19Pro！
◆ C1‑Premium超大核：玄戒 O3 相較於 天璣 9500 ，核心面積稍大，極限頻率更高；
● 憑藉LPDDR6內存，以及優秀的後端設計，超大核能效大幅領先領先 天璣 9500！
● 超大核在128MB下的靜態內存延遲僅85ns! 領先現階段手機平臺全部旗艦SOC！
● 超大核在256MB深度下的動態內存延遲僅179.1ns! 領先現階段手機平臺全部旗艦SOC！
◆ Pro大核：玄戒 O3 相較於 天璣 9500 ，核心面積更爲精簡，但極限頻率更高，且緩存規格增加至1MB!
● 憑藉LPDDR6內存，以及優秀的後端設計，大核能效全頻段大幅領先 天璣 9500、驍龍 8 Elite Gen5，僅浮點表現稍弱於A19Pro！（僅需天璣 9500大核峯值功耗的一半，便可以獲得與天璣 9500大核相同的峯值性能！）
● 大核的靜態內存延遲 ，領先現階段手機平臺全部旗艦SOC！
【3】核間延遲
◆ 玄戒 O3全部核心的核間延遲均低於80ns！
◆ 單核IP小結：憑藉優秀的後端設計能力，達成了極爲驚豔的多核能效續接表現！
——在與天璣 9500工藝、架構相同的情況下，單核能效拉開代差！
【4】多核能效(測試平臺：Geekbench 6)
◆ CPU理論性能：Geekbench 6.5 單核 3945 分，多核 15221 分，單核性能提升 31%，多核性能提升 60%！
——單CPU功耗便可突破20瓦！但僅需驍龍 8 Elite Gen5，CPU峯值功耗的一半，便可以獲得與驍龍 8 Elite Gen5相同的CPU峯值性能！
三、GPU
【1】架構：首發 16 核 G2-Ultra NX，PC級超大規模；
——新增 8 顆 NX 神經網絡加速器，配備4MB L2緩存，支持第三代光線追蹤、硬件超分插幀；
【2】GPU能效（測試平臺：3D Mark SNL）
◆ 理論性能：3D Mark SNL，4700分以上，提升 85%！傳統算力超越1060●6G，接近M5；
◆ 理論能效：4.5瓦下便能超越前代O1的峯值性能水平！僅低頻場景會被A19Pro追近，但依然保持領先；
——GPU能效全程問鼎！
四、NPU
【1】架構：4 核低功耗 NPU 架構，配備4MB L1緩存，8MB L2緩存，針對 Xiaomi MiMo 端側大模型設計；
【2】理論性能：提供 200 TOPS 張量算力 + 3.13 TFLOPS 向量算力，端側 AI 性能提升 45%；
五、內存
【1】首發支持 LPDDR6 內存（同時兼容LPDDR5X），全球首個96bit位寬手機平臺！
——速率 10667Mbps、帶寬達到 113.8GB/s，相比玄戒 O1 提升 48%！
六、總結
◆ 僅單核能效略弱於A19Pro，其餘性能表現，均強於現階段全部手機旗艦SOC!
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