從2024年開始，繼海力士、三星、長江存儲和閃迪陸續推出消費級PCIe 5.0 SSD後，美光旗下的Crucial英睿達在前段時間也終於發佈了最新旗艦型號T710。目前6大原廠SSD品牌中，只有鎧俠尚未發佈自家的DRAM-Base Gen5 SSD了。
美光是最早佈局消費級PCIe 5.0 SSD的原廠品牌之一，但是早期使用羣聯主控的T700、T705都以熱辣滾燙著稱，不用主動散熱器很難壓制住發熱，以至於在一段時間內給玩家們留下了“PCIe 5.0 SSD=高溫”的刻板印象。
而這次美光最新發布的T710（OEM型號爲4600）似乎是吸取了教訓，已經換至SMI慧榮主控陣營，那這款SSD又會有何種表現？
是亡羊補牢，爲時未晚？
還是繼續作爲原廠盤裏大家都喜歡打的那個豆豆？
懷着同樣的好奇心，本期飄雷以200塊的成本“租”來了一條2TB版的Crucial英睿達T710，併爲大家帶來詳細的測評報告，希望能給對這款SSD有興趣的朋友起到參考作用。
產品解析
英睿達T710原生提供了1TB、2TB和4TB三種容量規格，標稱順序讀取速度最高爲14900 MB/s，順序寫入速度最高爲13800 MB/s，而4KB隨機讀寫性能分別達到2200K、2300K IOPS，僅從參數來看，屬於目前消費級PCIe 5.0 SSD中的旗艦水準。
值得一提的是，可能是基於物料調配的成本考慮，T710的1TB容量版本也採用了2GB的DRAM緩存，這一點要比競品普遍1GB的配置強一些，橫向比較起來還挺有誠意的。
另外在質保方面，T710和保持了原廠旗艦SSD一貫的規格，在提供5年有限質保的同時，每TB的TBW爲600TB（要注意，TTBW並非實際壽命，僅爲廠商的質保依據）。
我借來的這塊2TB容量的T710，到手時貼紙已經被撕下，就算貼回去也有點皺，大家湊合着看一下吧：
T710各容量版本均爲單面顆粒佈局，在背面只有一張產品標籤，這也代表其在筆記本、迷你主機、遊戲主機等設備中有着更好的兼容性，也更方便我們爲其加裝散熱措施。
撕下正面貼紙後，T710的正面真容如下圖所示。
這次美光終於把自家消費級旗艦的主控換成了慧榮SM2508，並且聽說似乎也是用了慧榮的公版固件。這款臺積電6nm製程的8通道PCIe5.0 SSD主控也在多款原廠旗艦產品中得到了應用，無論是功耗、發熱還是性能表現，都得到了廠商和用戶的一致好評，算是今年存儲圈裏的明星產品了。
在NAND方面，T710採用兩顆美光原廠的NY307顆粒，共同組成了2TB容量。在官網查詢代碼可知，顆粒的具體零件號爲“MT29F8T08EQLEHL5-24QA:E”。
根據SSD仙人 @VictorTDD 整理的NAND料號對照表可知，這是美光第9代的276層B68S TLC顆粒，並且採用了8-die封裝：
當然，大家如果不想撕開貼紙查看顆粒信息的話，也是可以和下圖一樣使用flashid這款軟件來查看SSD信息，同樣可以識別出，T710使用的是美光B68S顆粒。
我手上這條T710 2TB的DRAM緩存絲印爲D8CSG，查詢可知，其採用的是美光原廠自產的LPDDR4顆粒，容量爲2GB（16Gb）：
詳細規格如下：
接下來通電上機，通過CrystalDiskInfo查看S.M.A.R.T信息。可見T710支持NVMe 2.0協議標準，預留了少量二級OP，可用容量爲2000.3 GB（10進制）。
由於二進制與十進制的單位換算差異，T710 2TB在Windows中的實際可用容量爲1863 GiB，這並非廠家虛標，而是消費級固態硬盤普遍存在的容量顯示差異。
接下來查看更詳細的S.M.A.R.T信息，T710 2TB默認給了5個功耗檔位。
不過雖然它使用了美光目前最先進的NAND與慧榮SM2508主控，但是Power State 0功耗有點高啊，達到了10W，比4TB的金士頓FURY Renegade G5還要高一些。
不過相較於之前自家的T700、T705這兩款搭載羣聯主控的SSD來說，T710的功耗還是要低得多了，這也意味着它會比兩位前輩擁有更好的發熱與溫度表現。
另外可以看到，T710沒有像金士頓FURY Renegade G5等同主控方案的產品一樣支持LBA Sizes修改功能，只支持512n模式，這一點倒是不影響咱們正常使用，只是這個區別讓我有點詫異。
最後，T710本身只提供了1個溫度傳感器，溫度閾值設定也比同主控競品高了幾度，分別爲86℃和88℃，這倒是和偏高一些的Power State 0功耗對應起來了。
測試平臺
本次測試使用的測試平臺配置如下：
CPU：Intel i9-14900K
主板：AORUS Z790 XTREME X
內存：DDR5-8000 16GB x2
系統盤：Intel傲騰900P 480GB
系統：Windows 11專業版 23H2、Ubuntu 24.04 LTS
這裏說明一下，在對SSD進行測試時，測試結果受硬件平臺的影響會比較明顯，並非所有SSD都能在任何電腦上達到官方標稱性能。
由於目前只有AMD平臺才能支持512字節的PCIe MPS（Maximum Payload Size，有效載荷），而我這套Intel平臺只支持256字節，所以在極限工況下的讀寫性能方面要比AMD平臺低一些，不過同時延遲表現又要比AMD平臺好一些，這一點還請大家有個瞭解。
基礎性能測試
1.CrystalDiskMark
對英睿達T710 2TB進行格式化後使用CrystalDiskMark測速，可以看到這款SSD的順序讀取速度爲14286 MB/s，順序寫入速度爲13500 MB/s。這裏順序讀寫速度距離官方標稱數據還略有差距，主要是因爲已經達到了我這套硬件平臺的PCIe 5.0 x4通道帶寬上限，並非SSD本身有啥虛標問題。
大家比較關心的Q1T1 4K隨機讀取速度方面，T710 2TB的表現也相當優秀，達到了117.10 MB/s的好成績，值得表揚。
在隨機讀寫方面，T710在這套Intel平臺上測出的Q32T16 4K隨機讀取性能爲1971K IOPS，隨機寫入性能爲1677K IOPS，同樣是受到了我這套硬件平臺的限制，沒法跑到官方標稱水準。
不過表現已經可以說是上佳，大家使用AMD平臺測試的話應當會有更好的表現。
2.PCMARK 10完整系統盤基準測試
在PCMARK 10完整系統盤基準測試中，T710 2TB拿到了6779分，超過了三星9100 Pro 2TB的成績，表現相當不錯，就是有點可惜還是沒能站上7000分的高位。
3.3DMark存儲基準測試
在3DMark存儲基準測試中，T710 2TB拿到了6639分的好成績，在我測試過的PCIe 5.0 SSD中排到了第二名。看來有了新主控的加持，這次美光的消費級旗艦SSD終於一改頹勢了。
專業向進階測試
1.全盤讀寫曲線分析
這裏我們對英睿達T710 2TB進行RAW格式下的全盤範圍順序讀寫測試（128KB，Q32T1），並以曲線圖的形式爲大家展示，觀察SLC Cache的方案。
從上圖中可以看到，整個全盤順序讀取的速度很是穩定，在圖中幾乎呈一條直線，平均讀取速度爲13554.79 MiB/s。與此同時，寫入一整遍全盤的平均速度達到了3209.71 MiB/s。
單獨觀察全盤順序寫入曲線可以看到，英睿達T710 2TB和宏碁掠奪者GM9000、雷克沙NM1090 Pro、金士頓FURY Renegade G5等同樣採用慧榮SM2508方案的SSD類似，寫入曲線呈現了經典的三段式結構：
第一段寫入時直接寫入SLC Cache；
SLC Cache耗盡後進入TLC直寫階段；
最後進入速度最慢的GC階段。
就個人經驗來看，英睿達T710的固件方案更像是宏碁掠奪者和雷克沙，SLC Cache的容量在375GiB左右，比較適中，要比同容量的金士頓FURY Renegade G5更小。這也和T710使用了慧榮公版固件的傳言有點匹配上了。
同時，它和同樣搭載了SM2508主控的西數SN8100截然不同，後者獨家的nCache 4.0方案會使得所有寫入數據都會先過一遍SLC Cache，即便SLC Cache耗盡後也不會跳過，而是邊GC邊寫入，優缺點都極爲明顯。
T710 2TB的TLC直寫階段持續了大約910 GiB左右，平均直寫速度爲3811.64 MiB/s，接近4000 MiB/s的成績在消費級Gen5 SSD中是挺優秀的水平了，遠超過往的消費級Gen4 SSD。
與此同時，英睿達T710在第三段的GC（垃圾回收）階段，在面對WriteBack懲罰的情況下，平均寫入速度依然達到了1837.57 MiB/s，都已經超過同容量三星9100 Pro的TLC直寫速度了，只能說三星爲了控制功耗和溫度，在新旗艦的性能方面還是頗有保留。
2.長時寫入測試
爲了觀察英睿達T710的GC效率，這裏又使用FIO 3.36對其進行了兩倍於全盤容量的128K Q32T1順序寫入，憑藉出色的直寫性能，這款SSD順序寫入兩遍的總耗時也只有1075s，記錄到的曲線如下。
額，只能說英睿達T710這個表現還是很像GM9000和NM1090 Pro，同樣在GC完成（SLC緩存釋放完畢、重新進入TLC直寫）後的階段出現一段急速上升的寫入曲線，寫入速度臨時飆升至緩內的水平（在TiPro9000和FURY Renegade G5上都沒有這個現象，盲猜可能是這二者都對固件做了自家的大改吧）。
使用同樣的參數對英睿達T710進行4倍容量寫入測試，能看到這個陽線會週期性出現，挺有意思的：
閃存SSD由於寫入原理所致，在正常工作期間，隨着寫入量的增加，髒盤程度的加深，分別是會經歷性能滑落的三個階段。
FOB（Fresh Out of the Box）：就是全新的、剛開封的盤。經過安全擦除的SSD也近似於FOB狀態。這個時候的盤所有的頁都是空白的，任何寫入操作都可以直接進行編程，不需要考慮擦除、垃圾回收等操作的影響。消費類SSD的標稱性能都是處於這個狀態。這個階段的測試成績可以看做是養精蓄銳之後的衝刺，漂亮，但不可持續。
Transition：過渡或者轉換狀態。這個狀態的性能會明顯低於全新時的表現，但是又高於穩定態。不同的SSD在這個階段的性能表現和持續時間差異較大，這與主控、固件、介質都有關係。隨着技術進步，較新式的數據中心SSD會比早期的SSD更容易度過這個階段。這個階段可以看做是跑步期間休息了一會兒，再次跑起來的時候顯得還比較輕鬆，但也不可持續。
Steady State：穩定態或穩態。測試成績比之前的要低，但波動不大了，譬如連續五次測試的平均性能變化不超過20%。這是長跑的真正狀態，呼吸節奏均勻，對肌肉痠痛已經麻木，配速比較穩定。隨着時間持續，性能可能會進一步下降，但變化比較平緩。
由於SSD在標稱容量之外，還有一些保留的空間（OP），所以在重負載測試過程中，爲了在測試時確保所有page都被寫入，設計的寫入量一定要明顯大於標稱容量，通常操作就是直接寫兩遍以上的滿盤進行預處理。
此時再對SSD進行長時間4K隨機寫入操作，可以觀察寫入速度是否足夠收斂，來判斷SSD在重負載下的性能穩定性，這也是我們常說的SSD是否能進入穩態。
該項測試對於普通家用用戶來說其實不用太在意，畢竟我們普通用戶也不會有如此高的負載。不過對於極少數重度生產力用戶來說，可以通過該項測試來評估SSD的主控性能和固件調校水平。
所以，在對英睿達T710進行4倍填盤順序寫入預處理後，這裏又對其進行了爲時10000s的QD32 4K隨機寫入測試，記錄到的曲線如下：
從上圖中可以發現，英睿達T710的4K隨機寫入曲線整體還是大致呈現了FOB——Transition——Steady State三個階段的經典特徵。在隨機寫入的後期，曲線離散度依然不算大，相較於大部分消費級SSD來說，數據已經足夠集中、收斂。
當然，不得不承認的是，這畢竟還是一款消費級SSD，在經歷了長時間的4K隨機寫入後，寫入曲線依然還是存在一些波動毛刺，並不能和企業級SSD似的做到近乎心如止水，只能說勉強進入穩態吧。
截取最後1000s的曲線，並且通過調整縱座標軸區間的方式，將波動放大得更加明顯，可以看到IOPS會在94.7K上下反覆震盪：
3.SLC緩外4K隨機讀取性能
爲了觀察SSD在排除SLC Cache的影響後的4KB小粒度隨機讀取性能，在進行順序寫入填盤2遍的處理後，這裏對英睿達T710進行15分鐘的Q1T1 4K隨機讀取測試，得到了如下圖所示的SLC緩外4K隨機讀取速度曲線：
得益於慧榮SM2508的優秀性能，以及B68S顆粒的出色表現，其QD1 4K隨機緩外讀取速度在83.66 MiB/s左右，是我測試過的消費級閃存SSD中最強一檔。
另外，考慮到有些用戶的生產力場景會涉及到對SSD的深隊列讀寫，接着又對其進行15分鐘的QD256 4K隨機緩外讀取測試，在15分鐘內的速度表現如下圖所示，平均速度爲4730.41 MiB/s。
有點可惜，該項目中T710的表現略遜於競品，或許是廠商調校策略不同所致。
4.FOB狀態混合隨機讀寫
Windows翔一樣的I/O引擎和文件資源管理機制會限制SSD的性能發揮，所以爲了展示SSD主控和固件在最佳工況下的性能，這裏在Ubuntu 24.04中，使用FIO 3.36腳本再對英睿達T710進行了一遍更加完整的，不同隊列深度、不同混合讀寫方案下的測試。
這個項目主要是爲了衡量SSD主控的性能上限，所以在測試前，會確保SSD處於FOB狀態，並且不排除隨機讀取請求命中SSD內部DRAM的情況。
這裏將相關測試結果整理成上圖的表格，大家可以參考我過往的測試報告，拿來和其他SSD參考對比。
5.ezFIO穩態測試
前面提到，對於絕大部分消費級SSD來說，實際我們日常使用時是不會進入穩態場景的，只有專門用在服務器上的企業級SSD纔會考量。
不過爲了繼續深挖SSD在極限工況下的性能細節，這裏我們在Ubuntu系統中引入了ezFIO測試項目，繼續深入探尋其性能表現。再次重申疊甲，消費級SSD的穩態性能與我們普通用戶的真實使用體驗關係不太大，ezFIO測試更多地只是爲了滿足SSD發燒友對軟硬件性能的探究慾望。
ezFIO測試主要分爲順序和隨機兩大項內容，爲了確保SSD進入穩態，在每項測試開始時都會有兩次全盤容量順序寫入+兩次全盤容量隨機寫入的預處理流程，之後進行不同粒度、不同隊列深度的具體測試，可以說整個測試流程耗時極長，負載強度極大。
在ezFIO的測試中，英睿達T710 2TB在7讀3寫長時間混合測試中的表現不錯，平均IOPS爲241960，變異係數（可以理解爲數據離散程度）在SM2508主控方案的SSD中也比較低，爲4.49%：
在QD1-QD256不同隊列深度下，7讀3寫混合隨機性能穩步上升：
在不同隊列深度下的4K穩態隨機讀取性能與延遲表現如下圖所示：
在多隊列4K隨機寫入測試環節中，最高在95K IOPS左右，這個成績不算高，有點保守。在過程中可以看出其對於低隊列工況進行了優化，在消費級用戶常用到的QD8時，就已經基本把隨機寫入性能拉滿了：
剩餘的圖表是其在不同粒度下的性能表現，這裏一併貼出來供大家查閱：
最後以一張7讀3寫的延遲對數表收尾：
6.功耗測試
關於SSD的測試，除了溫度之外，還有一項重要內容是觀察其功耗。
雖然對於臺式機用戶來說，這點功耗帶來的電費不值一提，但另外一個重點是，功耗水平可以在某種程度上側面反映SSD的發熱情況——畢竟後者測試起來是真的麻煩，即便有熱電偶溫度計等設備，但是考慮到探頭固定和過熱降速等因素，也很難排除變量干擾。
SSD生產商和專門的大測試公司，有類似英國Quarch的商用功耗分析平臺可用，不過以萬爲單位的售價對平民玩家來說還是太貴了。所幸我買來了好基友 @WittmanARC 定製的一張M.2 SSD功耗測試卡，雖然功能上不如Quarch，但也能一用了。
這張測試卡可以配合開源的QtSerialMonitor串口監視軟件，實時顯示SSD的電壓、電流和功耗參數圖像，並且可以保存日誌記錄，方便我們二次作圖使用，特別好玩。
從日誌來看，英睿達T710 2TB在通電上機的正常工作狀態下，無讀寫時的平均功耗爲1560 mW左右。
對英睿達T710 2TB進行RAW格式下的全盤範圍順序讀取測試（128KB，Q32T1）時，記錄到的讀取速度和功耗的實時圖表如下：
出乎我的意料，在這個全盤讀取過程中SSD的功耗只有2775 mW，低得不正常。
只能推測RAW下的讀取可能和FIO的空盤測試一樣，讀取指令沒有落到NAND裏面，而是主控那邊查詢後直接return 0了。
再對T710 2TB進行RAW格式下的全盤範圍順序寫入測試（128KB，Q32T1），記錄到的圖表如下，寫入曲線與未接入測試卡時略微有一點區別，主要是SLC Cache內寫入的第一段，有了一個降速的小波動。
在SLC Cache內寫入時功耗最高，爲平均8265 mW，而後略微降低至平均8115 mW。
在TLC直寫階段，功耗平均爲7000 mW。
在速度最慢的GC階段，功耗進一步下降，平均爲6530 mW。
接着對T710 2TB進行一次CrystalDiskMark測試，測試結果如圖所示：
可以看得出電氣性能與之前的測試結果大體相符，沒有因爲電氣性能問題造成異常降速，所以該卡對於Gen5 SSD的測試結果可以繼續正常參考。
QtSerialMonitor記錄到的圖像如下：
在啓用7讀3寫混合測試後，CrystalDiskMark12個項目的測試順序如下圖中紅色數字所示，自上而下，自左向右：
瞭解這個順序之後，將CDM測試過程中讀寫速度與實時功耗整合到同一張圖中，觀察圖中綠色曲線，SSD的實時功耗與讀寫性能呈現正相關趨勢，並且可以發現一些有趣的結論：
其中T710的順序讀取功耗小於順序寫入，混合寫入的功耗介於二者之間。
並且這塊盤的真實的順序讀取功耗在8000 mW左右，比RAW格式下的功耗高得多。
Q32T16多隊列的4K隨機讀取功耗高於隨機寫入功耗，Q1T1下的4K隨機讀寫功耗都差不多。
因爲實在是好奇，我又將T710 2TB和金士頓FURY Renegade G5 4TB在CrystalDiskMark測試期間的功耗對比了一下：
T710 2TB竟然在容量更小的情況下，功耗高於金士頓FURY Renegade G5 4TB，這個真的是極其出人意料了。
總結
以上就是本期對Crucial英睿達 T710 2TB的完整測試報告了，大家看到這裏辛苦了。
本期測試過程中沒包括溫度測試環節，是因爲新採購的能實時記錄溫度的熱電偶溫度計尚未收貨，在後期會單獨寫一篇進行補充。
總的而言，在測試完這款SSD之後，個人感覺美光及時調整方向，將主控從羣聯方案更換爲慧榮SM2508，還是非常正確的選擇。畢竟T710的性能表現屬實是非常不錯，（疑爲公版的）固件方面沒啥硬傷，並沒有像T500一樣有啥明顯短板。
唯一讓人有點遺憾的，是T710這款SSD在功耗方面的表現不算很好，也難怪美光在OEM型號4600上有限制功耗與性能的舉動，就是不知道這是固件調校還是硬件物料造成的問題了。
另外T710在上市之初的定價有點招笑了，2TB版本的定價竟然高達2399元，不知道這個迷之自信是從哪裏來的。
幸好目前這塊盤的價格終於迴歸到了1649元2TB的合理範疇，只能感嘆致態TiPro9000確實是真的發揮了價格錨定的作用，咱們有自己的國產SSD還是有重要意義的。
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