長鑫 已完成國產LPDDR6內存研發驗證！預計年內量產！

8 月 1 日消息，據第一財經報道，長鑫存儲 已完成LPDDR6內存量產前最重要的研發驗證！

——相關市場消息稱長鑫存儲並已向核心客戶送樣LPDDR6，有望 2026 年下半年發佈並實現量產導入！

◆ 核心參數方面：長鑫首款 LPDDR6 產品設計規格速率爲 12800Mbps，與 SoC 協同的運行基礎速率爲 10667Mbps，顆粒容量 16Gb，採用 1295 Ball（焊球）的 POP（堆疊）封裝。

◆ 設計標準：LPDDR6採用雙子通道架構，每個子通道含 12 條數據信號線，支持 24 位寬通道設計，並引入動態效率模式、VDD2 雙電源供電等能效優化技術。

——在性能與功耗控制、可靠性、可用性和可維護性方面，對比 LPDDR5X 產品均有優化提升！